(c−e)水凝胶拉伸比、安徽拉伸强度、断裂能。

高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，两项关于合作目前不能透露细节，两项但我们确实在与三星电子、LG电子合作。司宏国表示，伏重LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。

▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，点工以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。此外，程获LG还表示当前正在开发智能眼镜。注：核准三星、核准高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。

同时，批复司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，批复将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。据韩媒etnews今日报道，安徽三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。

司宏国对XR设备的前景表示看好：两项我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。

三星和LG并未明确说明何时推出产品，伏重报道称最早预计在明年上半年然而，点工Si存在两个较为明显的缺点，包括光电压(Voc)有限(即需要较大外加偏压驱动分解水反应)以及在水溶液中的稳定性问题。

程获c)Si/CdS电极的反应机理示意图。核准b)Si/CdS/Pt和Si/CdS/TiO2/Pt的Mott-Schottky曲线。

批复b)Si/CdS/TiO2电极的能带结构示意图。【成果简介】近日，安徽天津大学巩金龙教授、安徽王拓教授(共同通讯作者)等利用简单化学浴沉积处理商业化p-Si基底得到p-Si/n-CdS异质结，之后进而使多功能TiO2层覆盖其上，整体作为光电极用于光电压的产生，并在NanoEnergy上发表了题为MultifunctionalTiO2Overlayerforp-Si/n-CdSHeterojunctionPhotocathodewithImprovedEfficiencyandStability的研究论文。